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AIXTRON liefert Depositionsanlagen für die Spitzenforschung an das Micron

Center for Materials Research / CCS 3x2-System für 2D-Materialien und GaN-Strukturen geht an die Boise State University, Idaho

                                                                               
DGAP-Media / 17.05.2022 / 09:38                                                
                                                                               
                                                                               
                                                                               
AIXTRON liefert Depositionsanlagen für die Spitzenforschung an das Micron      
Center for Materials Research CCS 3x2-System zur Abscheidung von 2D-Materialien
und Galliumnitrid (GaN)-Strukturen geht an die Boise State University, Idaho   
                                                                               
Herzogenrath, 17. Mai 2022 - AIXTRON SE (FSE: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6), ein    
führender Anbieter von Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie, gab     
heute bekannt, dass AIXTRON Ltd., eine Tochtergesellschaft der AIXTRON SE, eine
Depositionsanlage des Typs Close Coupled Showerhead(R) Metal-Organic Chemical    
Vapor Deposition (CCS(R) MOCVD) für Verbindungshalbleitermaterialien an die Boise
State University liefern wird. Die CCS(R) 3x2-Anlage ist ein wesentlicher        
Bestandteil einer Infrastrukturerweiterung, die der Boise State University     
zugesprochen wurde.                                                            
                                                                               
Die AIXTRON CCS 3x2, die an Boise geliefert wird, hat eine Kapazität von 3x2"  
Wafern. Die Anlage wird eine maximale Betriebstemperatur von 1.400 C haben, die
die Abscheidung von Graphen und hBN auf Saphir sowie neuartige Strukturen für  
GaN-basierte UV-LEDs ermöglicht. Ausgestattet mit einer Vielzahl von Kanälen   
für Gase und Metallorganika, ermöglicht das der Boise State University, die    
modernsten 2D-Materialien abzuscheiden. Darüber hinaus wird die Anlage mit den 
AIXTRON-eigenen In-situ-Messtechnologien ARGUS und EPISON ausgestattet sein,   
die sich als entscheidend für die gleichmäßige und wiederholbare Herstellung   
von 2D-Materialien auf Wafern erwiesen haben.                                  
                                                                               
Mit Hilfe des CCS 3x2 will Boise State die Herstellung fortschrittlicher,      
flexibler Hybridelektronik auf Basis von 2D-3D-Heterostrukturen ermöglichen.   
Ziel ist es, die AIXTRON-Anlage zur Erforschung und Bewältigung der            
Herausforderungen bei der großtechnischen Synthese und der Integration von     
2D-Materialien in den Prozessablauf zur Herstellung von Halbleiterbauelementen 
einzusetzen.                                                                   
                                                                               
"Die AIXTRON-Anlage ist ein wichtiger Bestandteil des Ausbaus unserer          
Forschungsinfrastruktur. Die AIXTRON Close Coupled Showerhead MOCVD-Anlage ist 
in der Lage, sowohl Halbleitermaterialien auf atomarer Ebene als auch          
herkömmliche Halbleiterschichten im Wafermaßstab zu erzeugen", sagt David      
Estrada, stellvertretender Direktor des Boise State Center for Advanced Energy 
Studies und außerordentlicher Professor an der Micron School of Materials      
Science and Engineering.                                                       
                                                                               
Die AIXTRON CCS 3x2-Anlage wird voraussichtlich die einzige Anlage an einer    
US-amerikanischen Universität sein, die speziell für die Herstellung von 2D-   
und Nitrid-Verbindungshalbleitern im Wafer-Maßstab ausgelegt ist. Sie dient der
Ausbildung zukünftiger Halbleiterspezialisten auf Bachelor- und Master-Ebene   
für die US-amerikanische Halbleiterindustrie.                                  
                                                                               
In enger Zusammenarbeit mit AIXTRON wird das Forschungsteam der Boise State    
einzigartige Materialeigenschaften, Algorithmen der künstlichen Intelligenz und
bahnbrechende Mikrofabrikationstechniken nutzen, um neuartige Technologien für 
zukünftige Anwendungen zu entwickeln und voranzutreiben.                       
                                                                               
"Wir freuen uns, unsere Beziehungen zu den Vereinigten Staaten und der         
akademischen Welt durch die Bereitstellung eines industrietauglichen           
F&E-Reaktors für die Boise State University zu vertiefen. Unsere CCS 3x2-Anlage
liefert in zahlreichen Anwendungen erstklassige Ergebnisse für 2D-Materialien  
im Wafer-Maßstab. Sie ist außerdem die einzige Anlagentechnologie, die für die 
kombinierte 2D- und GaN-Forschung konfiguriert werden kann und gleichzeitig das
Wachstum von van-der-Waals-Heterostrukturen ermöglicht", erklärt Prof. Dr.     
Michael Heuken, Vice President Advanced Technologies bei AIXTRON.              
                                                                               
Ansprechpartner                                                                
                                                                               
Guido Pickert                                                                  
Vice President Investor Relations & Corporate Communications                   
fon +49 (2407) 9030-444                                                        
e-mail [email protected]                                                   
                                                                               
                                                                               
                                                                               
Über AIXTRON                                                                   
Die AIXTRON SE (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) ist ein führender Anbieter von   
Depositionsanlagen für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen wurde 1983     
gegründet und hat seinen Sitz in Herzogenrath (Städteregion Aachen) sowie      
Niederlassungen und Repräsentanzen in Asien, den USA und in Europa. Die        
Technologielösungen der Gesellschaft werden weltweit von einem breiten         
Kundenkreis zur Herstellung von leistungsstarken Bauelementen für elektronische
und optoelektronische Anwendungen auf Basis von                                
Verbindungshalbleitermaterialien genutzt. Diese Bauelemente werden in einer    
Vielzahl innovativer Anwendungen, Technologien und Industrien eingesetzt. Dazu 
gehören beispielsweise Laser-, LED-, und Displaytechnologien, Datenübertragung,
SiC- und GaN-Energiemanagement und -umwandlung, Kommunikation, Signal- und     
Lichttechnik sowie viele weitere anspruchsvolle High-Tech-Anwendungen.         
                                                                               
Unsere eingetragenen Warenzeichen: AIXACT(R), AIXTRON(R), Close Coupled            
Showerhead(R), Gas Foil Rotation(R), OVPD(R), Planetary Reactor(R), PVPD(R), TriJet(R)     
                                                                               
Weitere Informationen über AIXTRON (FWB: AIXA, ISIN DE000A0WMPJ6) sind im      
Internet unter www.aixtron.com verfügbar.                                      
                                                                               
Zukunftsgerichtete Aussagen                                                    
                                                                               
Dieses Dokument kann zukunftsgerichtete Aussagen über das Geschäft, die Finanz-
und Ertragslage und Gewinnprognosen von AIXTRON enthalten. Begriffe wie        
"können", "werden", "erwarten", "rechnen mit", "erwägen", "beabsichtigen",     
"planen", "glauben", "fortdauern" und "schätzen", Abwandlungen solcher Begriffe
oder ähnliche Ausdrücke kennzeichnen diese zukunftsgerichteten Aussagen. Solche
zukunftsgerichtete Aussagen geben die gegenwärtigen Beurteilungen, Erwartungen 
und Annahmen des AIXTRON Managements, von denen zahlreiche außerhalb des       
AIXTRON Einflussbereiches liegen, wieder und gelten vorbehaltlich bestehender  
Risiken und Unsicherheiten. Sie sollten kein unangemessenes Vertrauen in die   
zukunftsgerichteten Aussagen setzen. Sollten sich Risiken oder Ungewissheiten  
realisieren oder sollten zugrunde liegende Erwartungen zukünftig nicht         
eintreten beziehungsweise es sich herausstellen, dass Annahmen nicht korrekt   
waren, so können die tatsächlichen Ergebnisse, Leistungen und Erfolge von      
AIXTRON wesentlich von denjenigen Ergebnissen abweichen, die ausdrücklich oder 
implizit in der zukunftsgerichteten Aussage genannt worden sind. Dies kann     
durch Faktoren verursacht werden, wie zum Beispiel die tatsächlich von AIXTRON 
erhaltenen Kundenaufträge, den Umfang der Marktnachfrage nach                  
Depositionstechnologie, den Zeitpunkt der endgültigen Abnahme von Erzeugnissen 
durch die Kunden, das Finanzmarktklima und die Finanzierungsmöglichkeiten von  
AIXTRON, die allgemeinen Marktbedingungen für Depositionsanlagen, und das      
makroökonomische Umfeld, Stornierungen, Änderungen oder Verzögerungen bei      
Produktlieferungen, Beschränkungen der Produktionskapazität, lange Verkaufs-   
und Qualifizierungszyklen, Schwierigkeiten im Produktionsprozess, die          
allgemeine Entwicklung der Halbleiterindustrie, eine Verschärfung des          
Wettbewerbs, Wechselkursschwankungen, die Verfügbarkeit öffentlicher Mittel,   
Zinsschwankungen bzw. Änderung verfügbarer Zinskonditionen, Verzögerungen bei  
der Entwicklung und Vermarktung neuer Produkte, eine Verschlechterung der      
allgemeinen Wirtschaftslage sowie durch alle anderen Faktoren, die AIXTRON in  
öffentlichen Berichten und Meldungen, insbesondere im Abschnitt Risiken des    
Jahresberichts, beschrieben hat. In dieser Mitteilung enthaltene               
zukunftsgerichtete Aussagen beruhen auf den gegenwärtigen Einschätzungen und   
Prognosen des Vorstands basierend auf den zum Zeitpunkt dieser Mitteilung      
verfügbaren Informationen. AIXTRON übernimmt keine Verpflichtung zur           
Aktualisierung oder Überprüfung zukunftsgerichteter Aussagen wegen neuer       
Informationen, künftiger Ereignisse oder aus sonstigen Gründen, soweit keine   
ausdrückliche rechtliche Verpflichtung besteht.                                
                                                                               
Dieses Dokument liegt ebenfalls in englischer Übersetzung vor, bei Abweichungen
geht die deutsche maßgebliche Fassung des Dokuments der englischen Übersetzung 
vor                                                                            
                                                                               
                                                                               
                                                                               
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Emittent/Herausgeber: AIXTRON SE                                               
Schlagwort(e): Forschung/Technologie                                           
                                                                               
17.05.2022 Veröffentlichung einer Pressemitteilung, übermittelt durch DGAP -   
ein Service der EQS Group AG.                                                  
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Sprache:     Deutsch                                                           

Unternehmen: AIXTRON SE                                                        

             Dornkaulstraße 2                                                  

             52134 Herzogenrath                                                

             Deutschland                                                       

Telefon:     +49 (2407) 9030-0                                                 

Fax:         +49 (2407) 9030-445                                               

E-Mail:      [email protected]                                                

Internet:    www.aixtron.com                                                   

ISIN:        DE000A0WMPJ6                                                      

WKN:         A0WMPJ                                                            

Indizes:     MDAX, TecDAX                                                      

Börsen:      Regulierter Markt in Frankfurt (Prime Standard); Freiverkehr in   
             Berlin, Düsseldorf, Hamburg, Hannover, München, Stuttgart,        
             Tradegate Exchange; Nasdaq OTC                                    

EQS News ID: 1353955                                                           







                                

Ende der Mitteilung  DGAP-Media



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